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            美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產:1γ節點導入

            作者:時間:2021-08-22來源:ZOL收藏

            三星、SK海力士及確定未來會用工藝,其中工藝內存在2024年量產。

            本文引用地址:http://www.archiactvr.cn/article/202108/427721.htm

            芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后,光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及也確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。

            美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認,美光已將EUV技術納入技術藍圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節點開始導入。美光EUV工藝將會先在臺中A3廠生產,預計2024年進入量產階段。

            此外,這個1γ工藝要更先進,10nm級別的內存工藝中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前,三星及SK海力士都更早進入了EUV節點,從去年底就開始部署EUV光刻工藝了,而且比美光更激進,最快在1a工藝節點就會量產EUV內存芯片。



            關鍵詞: 美光 EUV DRAM

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